三星公布技术开发：Galaxy S23旗舰机99%会采用

最近三星电子年初已经完毕小型化储存ROMUFS 4.0的开发，低速比现在的UFS 3.1太快达1倍。UFS 4.0 每通道给予平均23.2 Gbps的低速，内增建第七代V-NAND关键技术，实现平均4200 MB/s擦除低速及平均2800 MB/s存储低速。相比UFS 3.1的最高擦除低速为2100MB/s，存储低速为1200 MB/s，太快多达一倍。

UFS 4.0除了低速越来越高以外，体积比UFS 3.1越来越小，最大的UFS 4.0 1TB存储空间，体积为11 x 13 x 1mm，比512GB的UFS 3.1存储空间，体积为11.5 x 13 x 1mm。

三星电子UFS 4.0储存ROM将可能会于第三季开始投产，能否赶在下半年度的旗舰机上使用，目前仍是一个无论如何。但估计一月发售的旗舰机三星电子Galaxy S23第三部，就肯定可能会采用。