新型透明、灵活超薄硬盘件：弯曲时也能保持80%以上的记忆功能

二维(2D)薄膜材料的借助于存储的设备是将来可穿着市场的更为重要元素，它在数据存储、执行和通讯之中发挥着至关重要的作用。

用几薄膜(nm)的二维薄膜材料制成的超薄SRAM件，可以孝着增加存储密度，从而联合开发出改用二维薄膜材料解决问题的借助于可变电阻SRAM。然而，由于薄膜材料的偏器件俘物理性质，使用传统二维薄膜材料的SRAM不具一定的局限性。

韩国科学技术深入研究部（Korea Institute of Science and Technology）精良举例来说材料深入研究所设计团队近日年初联合开发了一种基于两者之间低维超薄薄膜在结构上的粉红色、灵活的SRAM件。为此，形成了单层零维（0D）量子点，并将其夹在两个绝缘的二维六方氧化物（h-BN）超薄薄膜材料在结构上之间。

深入研究小组通过将不具优异量子约束物理性质的0D量子点过渡到有源层，控制二维薄膜材料之中的器件，生产商出了一种可以成为将来SRAM见下文的的设备。

在此细化，0D量子点被塑造成向上一组的举例来说在结构上，夹在2D六边形h-BN薄膜材料之间，从而产生粉红色且灵活的器件。因此，联合开发的的设备即使在侧向时也能保持80%以上的粉红色度和记忆功能。

深入研究管理人员表示，设计团队通过利用绝缘六方h-BN上的量子点一组控制技术代替绝缘体石墨烯，奠定了超薄薄膜举例来说在结构上深入研究的基础，并探究了将来SRAM件的生产商和驱动分析方法。深入研究设计团队原计划在预见将两者之间低维薄膜材料一组的堆栈控制技术全面性，并扩大其应用范围。

新书Memory effect of vertically stacked hBN/QDs/hBN structures based on quantum-dot monolayers sandwiched between hexagonal boron nitride layer的涉及深入研究篇文章刊出在《举例来说材料B均：工程》（Composites Part B: Engineering）上。

前瞻经济学人APP资讯组

本文来源不明前瞻网，转载恳请注记来源不明。本文内容仅代表作者个人观点，新车站只提供参考并不看成任何投资及应用建议。（若存在内容、版权或其它难题，恳请联系）